抄録
ゾル―ゲル法を用いてギ酸を含むハフニア薄膜を作製し，その薄膜の性質および硬化プロセスを調べた。ハフニアゲル膜に紫外線を10分照射した薄膜は，鉛筆硬度9H以上の高硬度を示した。ゾルの13CNMRスペクトルより，ギ酸イオンはHfイオンにキレートまたは架橋配位していると考えられる。ハフニアゲル膜の硬化プロセスは，FT‐IR（RAS）スペクトルおよびTPDカーブを測定して調べた。それらの結果より，UV照射時間の延長ともないギ酸イオンが減少することが分かった。また，Hfイオンに配位しているOH基は，UV照射により脱離し，その量はUV照射前の量に比べ23%と大幅に減少することがわかった。
