日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2008年年会講演予稿集
セッションID: 3D02
会議情報

酸化ビスマス系低融点ガラスの結晶化による強誘電体の作製
*新田 敦己大内 忠司
著者情報
会議録・要旨集 フリー

詳細
抄録
Bi2O3-B2O3-TiO2系における析出結晶を再調査し析出結晶と熱処理温度との関係を調べた。40Bi2O3-(40-x)B2O3-(20+x)TiO2(mol%)ガラスにおいて、各ガラスの結晶化温度で熱処理した結果、40Bi2O3-40B2O3-20TiO2ガラスでは、僅かにBIT結晶が析出するがほとんどがBi6B10O24結晶であった。一方、40Bi2O3-25B2O3-35TiO2のガラスでは、BITおよびBi2Ti2O7結晶が析出した。このことから、TiO2含有量が多い方が、BIT結晶が析出しやすいことが分かった。Bi2Ti2O7系ガラスを各温度で熱処理し、析出結晶を調べた結果、600℃以下ではBIT結晶の他にBi2Ti2O7やBi6B10O24結晶が析出するが、700℃以上ではほとんどがBIT結晶であった。
著者関連情報
©  日本セラミックス協会 2008
前の記事 次の記事
feedback
Top