日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2009年年会講演予稿集
セッションID: 2A09
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高Nb置換Pb(Zr, Ti, Nb)O3系強誘電体の物性、結晶構造と強誘電特性
*溝口  拓馬北村 尚斗井手本 康
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キーワード: 強誘電体, 結晶構造
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抄録
当研究室ではこれまで、薄膜においてSiを添加することでNbを多量置換することが可能となるPb(Zr, Ti)O3 (PZT)に対し、Nb組成0.05以下のPbSiO3添加Pb(Zr, Ti, Nb)O3系バルク体の結晶構造と強誘電特性の関係について報告してきた。そこで本研究では、PZTにNbを多量置換し、PbSiO3を添加したPb(Zr, Ti, Nb)O3バルク試料を作製し、焼成条件を検討すると共に組成と結晶構造、強誘電特性の関係について検討した。
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©  日本セラミックス協会 2009
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