高Nb置換Pb(Zr, Ti, Nb)O3系強誘電体の物性、結晶構造と強誘電特性

溝口 拓馬; 北村 尚斗; 井手本 康

doi:10.14853/pcersj.2009S.0.161.0

2009年年会講演予稿集

セッションID: 2A09

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2009S.0.161.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

高Nb置換Pb(Zr, Ti, Nb)O₃系強誘電体の物性、結晶構造と強誘電特性

*溝口　拓馬, 北村尚斗, 井手本康

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キーワード: 強誘電体, 結晶構造

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抄録

当研究室ではこれまで、薄膜においてSiを添加することでNbを多量置換することが可能となるPb(Zr, Ti)O₃ (PZT)に対し、Nb組成0.05以下のPbSiO₃添加Pb(Zr, Ti, Nb)O₃系バルク体の結晶構造と強誘電特性の関係について報告してきた。そこで本研究では、PZTにNbを多量置換し、PbSiO₃を添加したPb(Zr, Ti, Nb)O₃バルク試料を作製し、焼成条件を検討すると共に組成と結晶構造、強誘電特性の関係について検討した。

責任著者(Corresponding author)

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