抄録
近年、導電性酸化物にショットキー電極を形成した界面に極性の異なる電圧を印加した際に低抵抗(LR)状態と高抵抗(HR)状態とにスイッチする現象、すなわち、抵抗スイッチング現象は、不揮発メモリーへの応用が期待され、盛んに研究されている。しかし、この現象の発現機構には、未だに不明な点が多い。本研究では、抵抗スイッチング現象の本質の解明を目的とし、Nb添加SrTiO3単結晶とPt電極から成るショットキー接合における電流-電圧(I-V)特性と容量-電圧(C-V)特性の温度依存性、および、測定周波数依存性を評価した。
