抄録
現在、大容量磁気記録用磁気ヘッドに用いられるトンネル磁気抵抗（TMR）センサ素子は、磁性伝導層間に非磁性層を挟んだ多層薄膜構造である。一方、磁性伝導微粒子間の粒界をトンネル接合として、磁気抵抗効果得る粒界散乱型トンネル磁気抵抗効果についても研究が進められている。本研究では、ゾルゲル法を用いて磁性半導体であるマグネタイトの微粒子表面に非磁性のシリカ相を形成し真空焼成することにより、比較的簡便な方法で高い磁気抵抗比を持つ磁気センサ材料を作製することを目的とした。シリカコーティングにより磁性半導体の粒界の状態を最適化することで、より高い磁気抵抗比を示す磁気センサ材料が作製可能であることを明らかにした。
