抄録
応力発光が直接目視できる程度に高輝度で残光性を有する応力発光体の開発を目的として、Ga添加がZnS:Mnの応力発光特性に及ぼす影響について検討した。Gaを添加したすべての試料は、圧縮加重を加えることによりMn2+のd-d電子遷移による高輝度な残光性を有する応力発光を示した。蛍光スペクトルはGa添加量の増加に伴いオレンジ色から赤色に変化した。圧縮荷重を加えた時の応力発光スペクトルも同様にGa添加量の増加に伴い長波長側にシフトしたが、ピークのシフト量は蛍光スペクトルと比較して小さい。微小球の衝撃による発光強度は、無添加の試料が最大を示し、Ga添加量の増加に伴い減少した。