RFスパッタリング法によるペロフスカイト型酸化物(Bi_0.5Ag_0.5)TiO₃薄膜の作製

抄録

　本研究は、(Bi_0.5Ag_0.5)TiO₃ （以下BAT）の誘電性を正しく評価するための第一歩としてRFマグネトロンスパッタリング法による薄膜の作製を目的とし、膜の作製条件を調査した。 　基板温度300～400 ˚Cにおいて、BATに近い組成比の膜が得られた。BATの組成比に近いアモルファス状態の膜試料をアニールすれば、BAT膜が得られる可能性があると考えられる。そこでArとO2比が1：1, チャンバー内圧力0.2 Pa, ターゲット基板間距離1.5 cm, 基板温度365 ˚Cで1 h 堆積したアモルファスの膜試料を、600 ˚C, 10 min, 酸素圧下(約0.8 MPa)でアニールを行った結果、単相のBAT膜を得た。