La1-xSrxAl1-yMgyO3-δのHIP焼結

杉井 一星; 藤本 憲次郎; 伊藤 滋

doi:10.14853/pcersj.2009S.0.620.0

2009年年会講演予稿集

セッションID: 3I11

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2009S.0.620.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

La_1-xSr_xAl_1-yMg_yO_3-δのHIP焼結

*杉井一星, 藤本憲次郎, 伊藤滋

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キーワード: HIP, 酸素イオン導電体

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抄録

La_1-xSr_xAl_1-yMg_yO_3-δをHIP法により作製し、緻密化と導電率の向上を目的とした。常圧焼結体は1600℃において相対密度89.4%であったが、HIP焼結体は1300℃、200MPaにおいて相対密度98.6%と緻密な焼結体が得られた。常圧焼結体にHIP焼結を用いることで不純物相のXRDピーク強度が減少した。また、格子定数が増加した。これらの結果から、置換固溶量の増加が示唆された。さらに、導電率と置換固溶量について検討中である。

責任著者(Corresponding author)

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