酸化亜鉛透明導電体中の欠陥構造

抄録

透明導電体として応用される高濃度に電子ドープされた酸化亜鉛(ZnO)中の欠陥構造を明らかにするため、放射光を利用した硬光電子分光(HX-XPS)を用いたバンド端付近の状態密度(DOS)の直接観測と、過渡容量分光(DLTS)による欠陥準位の捕捉を検討した。その結果、高濃度にアルミを添加した、ZnO薄膜中に高濃度に存在する、酸素欠陥由来とみられる欠陥準位を捉えることに成功したので報告する。