Laを微量ドープしたBaSnO₃セラミックスの熱電特性

抄録

Ba_1-xLa_xSnO₃（x=0.000～0.070）セラミックスがクエン酸錯体重合法及び放電プラズマ焼結法により作製された。Laの固溶限界はおよそx=0.030であった。出力因子を評価するため、電気伝導率とゼーベック係数が373～1073Kの温度範囲で測定された。LaをドープしたBaSnO₃セラミックスはいずれもN型縮退半導体的挙動を示し、出力因子はx=0.005の組成で最大化された。また、性能指数を評価するため、熱伝導率が測定された。