抄録
(K,Na)NbO3は、無鉛圧電材料の中でも比較的高いCurie温度および優れた圧電特性を有するためPb(Zr,Ti)O3代替材料として注目されている。一方、近年ではMicro-electromechanical system (MEMS) への応用に向けた圧電材料の薄膜化も要求されている。 (K,Na)NbO3においては、ZrによりNbサイトを一部置換すると立方晶-正方晶、正方晶-斜方晶、斜方晶-菱面体晶の3つの相転移温度が室温側にシフトすることが報告されている。本研究では、(K,Na)NbO3にAZrO3を固溶させることによる薄膜の電界誘起歪み特性の制御を目的とし、A (アルカリ土類金属元素) およびZrによる置換が化学プロセスにより作製した(K,Na)NbO3薄膜の電気的特性に及ぼす影響について調査した。
