抄録
PZTに代わる非鉛含有強誘電体材料の候補として、本研究ではビスマス系ペロブスカイト型酸化物BiFeO3 (BFO) およびBi(Zn1/2Ti1/2)O3 (BZT) からなる固溶体薄膜x BFO- (1-x) BZTを作製した。薄膜試料は化学溶液堆積法を用いて(100)配向LaNiO3層を表面に導入した(111)Pt/(100)Si基板上に作製された。XRD評価より、LaNiO3層を導入していない基板上の薄膜試料ではペロブスカイト相の結晶化は進行しなかったが、LaNiO3層を導入した基板上では、x = 0.2以上の領域においてペロブスカイト相の形成が認められた。x = 0.2-0.3の領域では第二相を伴った正方晶ペロブスカイト、x = 0.35-0.45の領域では正方晶ペロブスカイトの単一相、x = 0.7-1.0では菱面体晶ペロブスカイトの単一相が生成することをそれぞれ確認した。強誘電特性については当日に報告する。