抄録
非鉛高温サーミスタ候補材料として，BaTiO3(BT)にシフター材として(Bi1/2Na1/2)2+((Bi12Na1/2)TiO3; BNT, Tc =320oC)半導体セラミックスが注目されている．これまで報告されている還元雰囲気で焼成した半導体セラミックスは，繰り返し使用により室温抵抗率の増大が生じることが懸念されている．これを解決するため，我々は大気中焼成での半導体セラミックスの作製を試み，Ca2+ドープにより高いBNT含有量であるセラミックスにおいても半導体化が可能であることを示した．
