抄録
Pb(Zr,Ti)O3(以下PZTと略す)は、代表的な強誘電体材料であり、デバイスとして応用されている。今後さらに多くのデバイスに応用していくため、PZTなどの強誘電体材料は、小型化・高性能化を目指し、薄膜化が求められている。材料を薄膜化した際、多くの因子(サイズ効果、微構造、配向性、応力)が特性に影響を及ぼすことが知られている。本研究室において、化学溶液法により作製したLaNiO3(以下LNOと略す)下部電極を導入することで、PZT薄膜の強誘電特性を向上させることに成功している。本研究は、強誘電特性向上の要因が、下部電極を導入したことによる残留応力及び配向性の制御にあると考え、PZT/LNO/Si積層薄膜の微構造をTEMにより解析した。
