抄録
磁気光学効果を利用した高周波磁界センサー用材料として、我々はBi3Fe5O12に着目し、その磁界感度向上を試みている。今回、Bi3Fe5-xGaxO12(x=0－1.0)薄膜に関してGaの置換量と基板の結晶方位が、ファラデー効果や保磁力に与える影響を評価した。成膜方法は有機金属分解法を用い、(100),(110),(111) 基板上にスピンコートした膜を480℃で結晶化させた。ファラデー回転角の磁界に対する変化率はxの増加とともに増大したが、x=1.0では回転角が大幅に減少した。保磁力は (111)膜が最も大きくなり、(100)膜で最小を示した。この傾向は、x=0.05、1.0の両方の膜に見られ、保磁力が成長方位に大きく依存することが明らかになった。
