酸窒化ガリウムナノファイバーの結晶成長と光・電気特性

抄録

1～15μmの長さのGaONナノファイバーを種結晶として用いることで、最長150μmの長さを有するナノファイバーを750～1000℃の結晶成長温度で作製した。800℃で得られたナノファイバーのカソードルミネッセンスは強い青色発光（2.69eV）と弱いバンド端発光（3.39eV）を示した。1000℃で得られたナノファイバーは3.36eVに強いバンド端発光を示し、青色域の発光強度は減少した。結晶内の欠陥濃度の減少によりバンド端発光強度が向上し、欠陥準位に起因する青色発光強度が低下したと思われる。また、750℃で作製したナノファイバーは浅いドナー準位を持つn型半導体で、UV光照射による永続的光伝導も示した。