日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第24回秋季シンポジウム
セッションID: 2PI104
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浮遊帯溶融法によるNd:LaVO4単結晶の育成とその分光学的性質
*蓬田 翔平樋口 幹雄小川 貴代和田 智之高橋 順一
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キーワード: 単結晶, 浮遊帯溶融法
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抄録
LD励起が可能な超短パルスレーザー材料としてNd:LaVO4に着目し,浮遊帯溶融法により結晶育成を行い,分光学的性質とその異方性を評価した.育成した単結晶はオルソスコープ像より光学的に均質な結晶であることがわかった.吸収スペクトル測定より,800nm付近における吸収断面積はZ軸方向において約2.5×10-20cm2であり,吸収帯の半値幅は18nm程度であった.発光スペクトル測定より,半値幅が約8nmのブロードな発光帯を示した.また,分光学的特性の異方性や偏光依存性は小さい事がわかった.蛍光寿命はNdを5at.%ドープした場合でも80μs程度であった.以上より,Nd:LaVO4単結晶はLD励起超短パルスレーザー材料として期待できる事がわかった.
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©  日本セラミックス協会 2011
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