磁場印加ブリッジマン法による四ホウ酸リチウム単結晶の育成

抄録

四ホウ酸リチウム（Li₂B₄O₇ :LBO）単結晶は、可視域から紫外域にわたって大きな透過率を示し波長変換特性に優れた材料であり、さらに、圧電結晶として表面弾性波素子の基板として利用されている。しかしながら、LBO結晶には水に由来する気泡が含まれやすいために、育成速度を非常に小さくして気泡の混入を抑えて結晶育成を行っているのが現状である。磁場を印加してその磁場中で結晶中の気泡を除去しながらFZ法により結晶育成を行ったという報告はある。そこで、本研究では、強磁場下でのブリッジマン法によりLBO結晶を育成して、結晶中の気泡や水分の状態を調べた。