NiOの水素還元によるNi/Al₂O₃完全整合エピタキシャル薄膜およびMgO薄膜内Niナノグラニュラー構造の作製と磁性評価

抄録

スピントロニクスでは、積層膜やグラニュラー薄膜など、半導体でありながら磁性を持つ材料系が用いられる。しかし、これらの材料作製や物性研究は未開拓の部分が多く、シリコンデバイス技術と整合性の良い材料系やスピン散乱の起こりにくい界面制御技術が求められている。本研究室では、PLD法によって金属酸化物を室温エピタキシャル成長させた後、水素還元を行うプロセスにより、Ni/Al₂O₃積層膜と(Mg,Ni)O:Ni/Al₂O₃グラニュラー薄膜の作製を行った。この手法では、結晶構造が異なることが原因で作製が難しい、強磁性金属と半導体との積層膜をシャープに接合することができた。