ECRプラズマスパッタリング法によるNi含有アモルファス炭素薄膜の合成と評価

抄録

ECRプラズマスパッタリング法を用いて、アモルファス炭素薄膜と、グラファイト化触媒として活性であることが知られているNiを含有したNi含有アモルファス炭素薄膜を成膜し、その構造と電気的、光学的特性について検討した。得られた薄膜中のGraphite-likeドメインの大きさまたは数はNi含有量とともに増大した。Ni含有アモルファス炭素薄膜の室温での電気伝導度はNi含有量の増大に伴い増大し、温度上昇に伴い電気伝導度が増大した。さらに、電気伝導形態は可変領域ホッピング伝導が支配的であることが分かった。また、ホッピング伝導の次元数がNi含有量に伴って増えた。