抄録
電子機器の小型化に伴い、容量性素子の小型・低背化が求められている。しかしながら、既存の積層コンデンサ製造プロセスにおける誘電体の薄層化技術は限界に達しつつあり、更なる薄層化及び特性改善が見込まれる薄膜プロセス技術に関心が集まっている。薄膜作製法としては、スパッタをはじめとする物理気相成長法（PVD）が広く用いられているが、高額な設備を用いない簡便な方法という観点では化学溶液堆積法(CSD)が優れる。我々はCSD法を用いて作製したBaTiO3素子について報告を行なってきた。今回、BaTiO3層と下部電極の間に、シード層を導入し結晶成長に与える影響について検討した。その結果、高い結晶性・良好な電気特性を有する膜を得た。この膜の微細構造、および電気特性の評価結果について報告する。
