イオンビーム及び電子線複合照射によるSiCナノファイバーの径制御

抄録

高分子薄膜に入射するイオンビームの飛跡に沿って生じる高濃度活性種により直径ナノオーダーの高分子架橋体を形成し、これを溶媒抽出することでナノファイバーが作製できる。現在イオン加速器で利用可能なLETの上限は15000ev/nm程度であり、直立構造を形成するために必要な太さを有するナノファイバーが得られていない。そこで、ナノファイバー径の制御範囲を拡張する方法として、イオン照射に電子線照射を組み合わせた新たな方法を開発した。