日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2011年年会講演予稿集
セッションID: 1A23
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BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3三成分系セラミックス作製と圧電特性
*三井 龍太藤井 一郎中島 光一熊田 伸弘和田 智志島田 幹夫林 潤平薮田 久人渡邉 隆之久保田 純福井 哲朗
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抄録
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT)セラミックスは優れた圧電材料で、電子部品に幅広く使用されている。しかし、PZTは鉛を含んでいるため、環境問題の観点からPZTに代わる高性能な鉛フリー圧電材料の開発が急務である。鉛系についてPb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT)、 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT)が示す巨大な圧電特性の要因の一つとしてリラクサ―が持つ微小分極領域 polar nanoregion (PNR)と強誘電体がもつ分極領域 (ドメイン)が挙げられ、これらが干渉し合い生成されたPNRと強誘電体のドメインの中間のサイズをもった特殊なドメイン(ナノドメインと呼称)に影響していると考えている。そこで、本研究では非鉛系においてリラクサ―であるBaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 (BT-BMT)と代表的な強誘電体であるBiFeO3 (BFO)を固溶させたBT-BMT-BFO固溶体セラミックスの作製およびナノドメインを持たせることを目的とし、圧電特性とナノドメインの関係について検討を行った。
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©  日本セラミックス協会 2011
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