抄録
Pb(Zr,Ti)O3(PZT)は代表的な強誘電体材料であり、電子デバイス等に幅広く応用されている。電子機器の軽薄短小化に伴い、PZTなどの強誘電体材料も小型化・高性能化を目指し、薄膜化が求められている。一方で材料を薄膜化した際、多くの因子(サイズ効果、微構造、配向性、応力)が特性に影響を及ぼすことが知られている。本研究室のこれまでの研究から、化学溶液法(CSD法)で作製したLaNiO3(LNO)及び(La,Sr)MnO3(LSMO)を下部電極として用いると、PZT薄膜の強誘電特性を著しく向上させられることが明らかとなっている。本研究では、この強誘電特性向上の要因と考えられている電極/PZT薄膜間の熱膨張係数差に由来するPZT薄膜の面内残留圧縮応力、及び結晶配向性に着目し、透過型電子顕微鏡(TEM)により薄膜中の応力状態及び配向状態を解析した。
