液相法によるPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃薄膜の低温合成

抄録

LNOをシード層として用いる事で、液相法によりSi基板上にPMN薄膜の低温合成に成功した。PMN薄膜は550℃という比較的低温でLNO/Si構造上に成膜された。さらに、LNOシード層を歪コントロール層としても用いることで、PMN薄膜に対して圧縮応力の印加に成功した。この結果、PMNのキュリー点が上昇し、室温においても強誘電特性を示すことを確認した。