抄録
誘電体にヘテロ界面を導入することで、その界面に構造傾斜領域が生成し、巨大物性が発現することが人工超格子薄膜などで報告されている。このことからチタン酸ストロンチウム(ST,SrTiO3)およびチタン酸バリウム(BT,BaTiO3)ナノキューブ(20nm 程度の立方体形状単結晶)を基盤としてチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸バリウムをエピ タキシャル成長させることで界面構造を持たせ更なる巨大物性と新たな物性が期待できる。本研究では、集積体の隙間をチタン酸バリウムをソルボーサーマル処理により、エピタキシャル充填することにより界面構造を持つ BT-ST 集積体セラミックスの作製を試み、その作製条件の検討及び誘電 特性の評価を行った。