抄録
スピントロニクス材料としての利用を目的として、スピネルフェライトであるCoFe2O4の高品質超薄膜の作製を試みた。高品質エピタキシャル膜の作製を行うため、成膜方法として分子線エピタキシー方法を用いた。基板としてAl2O3のｃ面基板を用いて、酸素ラジカル雰囲気中での反応性蒸着を行った。RHEEDで表面の観察を行ったところ、エピタキシャル成長を確認することができた。また、AFMの観察により、数十nm程度の粒径を持つ粒成長をしていることが分かった。さらにXPSの測定ではややFeリッチの組成となっていることが分かった。
