抄録
"本研究ではシリコンウェハへの銅めっき問題に関して最適設計法，および逆解析を用いたモニタリング法の２つの解析法を開発した．
均一な膜厚のめっきを施すため，まず，カソードに理想的な電位・電流密度分布を２重境界条件として与え，アノードの電流密度を未知とする逆問題を解いた.求めた電流密度分布からアノードの分割幅を決定した．次に，分割された各アノードに与える電流の最適化をSimplex法を用いて行った．
リアルタイムで膜厚分布をモニタリングするため，電気を利用した膜厚測定装置を提案した．提案した装置の有効性を確認するため，膜厚変化に対する電位の感度解析を行った．測定電位からめっき面全域の膜厚分布をモニタリングする逆解析手法を開発した．数値シミュレーションを行い,開発した解析手法が有効であることを確かめた．"
