GaAs半導体材料の鏡面研削機構の研究

抄録

GaAsは電気特性に優れているため高周波·高速デバイス用基板として用いられ，GaAsウエハにはこれまで以上の高精度化が求められている。本研究ではGaAsウエハの加工品位向上を目的として，鏡面研削法の検討を行っている。これはSiウエハにおいて既に行われているが，GaAsはSiと比較して脆いため欠陥が生じやすい。本報ではGaAsの研削機構の解明を目的として，スクラッチ試験機による単粒研削加工実験を行った。これにより，加工痕深さと結晶方位に相関があること，研削部分は他の部分に比べエッチレートが低いこと，そして前記エッチレートの違いはエッチャントの濃度に依存し，垂直荷重に依存しないことが明らかになった。