抄録
ダイヤモンドは優れた熱伝導性，高い電気抵抗性や電界強度，低い誘電率を持ち，電子分野で様々な応用が期待される．CVD(chemical vapor deposition)によるダイヤモンド薄膜の合成ではシリコン基板を用いることが多いが，シリコンなどダイヤモンド以外の基板上でダイヤモンドを成長させるには成長核が必要である．そのため現在，傷つけ処理，種付け処理，バイアス処理のいずれかの方法によって基板を前処理するのが一般的である．本実験では前処理として種付け処理を行うことにより，短時間で高品質のダイヤモンド薄膜の合成を目指した．またCVD初期段階のシリコン基板表面をSEMで観察することにより，ダイヤモンドの核成長のメカニズムを解明した．
