抄録
大気圧プラズマCVD法を用いて、Siエピタキシャル成長の研究を行っている。結晶方位（100）のCz Siウエハを用い、サセプタ－温度を300～1000°:Cの範囲で、モノシラン、水素、ヘリウムを混合して成長ガスとして流して成膜を行い、成膜速度、結晶性等を調べた。その結果、通常、Siのエピタキシャル成長に用いられている熱CVD法に比べて、本研究の大気圧プラズマCVD法による成膜では成膜速度の大幅な促進と、低温での結晶化が実現できる事が分かった。Siエピタキシャルウエハは、高温プロセスを用いるため、コストや不純物の問題があるが、本方法により解決される事が期待される。
