広帯域LiNbO₃光変調器作製へのサンドブラスト法の適用

抄録

LiNbO₃(LN)基板を用いた広帯域光通信用変調器の開発に、サンドブラスト法による基板加工の適用を試みた。高周波(>20GHz)では基板へのマイクロ波の放射損失が顕著であり、基板を薄く加工して損失を抑えることが重要である。そこで我々は、サンドブラスト法を用いて、電極下部の基板厚さを200μm以下に部分加工する一連のプロセス技術に関する研究を行った。加工条件の選択やマスクパタンの工夫により、加工の制御性が向上し、4インチ基板(厚さ1mm)の部分肉薄加工が可能になった。本加工法をLN変調器の試作に適用したところ、高周波特性が大幅に改善し、光帯域40GHzを達成した。