分子動力学法による単結晶シリコンの切削シミュレーション－結晶方位の影響－

抄録

シリコンの機械加工におけるマイクロマシナビリティの理解のために、無欠陥単結晶シリコンの分子動力学法による切削シミュレーションを行い、結晶方位の依存性を解析した。表面(100)、切削方向<100>と<110>と、表面(111)、切削方向<112>を行い。結果として、表面(100)の切削方向<110>が表面粗さ、加工変質層、温度、応力の観点から、被削性が最も良いと考えられる。