分子動力学法による単結晶シリコンカーバイドの押し込みシミュレーション

抄録

近年次世代半導体材料として種々の特性に優れたシリコンカーバイド（SiC）が注目されているが，その機械的特性はあまり解明されていない。本研究では単結晶SiCをダイヤモンド圧子で押し込んだ時の分子動力学法を用いた計算機シミュレーションを行い，変形・破壊機構を解析した。その結果八面体せん断応力がある臨界値に達すると，アモルファスへ相変態を起こし塑性変形を生じることが明らかになった。