分子線エピタキシによる単結晶SiC平滑面の創成 表面性状の評価と制御

松田 裕靖; 古川 勇二; 諸貫 信行; 角田 陽

doi:10.11522/pscjspe.2003S.0.127.0

2003年度精密工学会春季大会

セッションID: C16

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003S.0.127.0

会議情報

主催: 社団法人精密工学会

表面機能の形成と評価

分子線エピタキシによる単結晶SiC平滑面の創成

表面性状の評価と制御

*松田裕靖, 古川勇二, 諸貫信行, 角田陽

著者情報

キーワード: 分子線エピタキシ, 炭化シリコン, 平滑面

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

優れた物性をもつSiCは次世代機械構造部材として期待できるが，高硬度ゆえ高精度除去加工は困難であり，本研究では分子の付着結晶成長である分子線エピタキシによるSiC 平滑面の創成を試みている．本報では直径100mmの（111）Si基板上へ創成した単結晶SiC面の表面性状（幾何形状，結晶性，機械的特性）と成膜条件（基板温度，成長速度，成膜量）の関係を明確化するとともに，表面性状の制御法を検討した．

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）