抄録
SiCセラミックスは、その優れた高温強度、高熱伝導率、化学的安定性を生かしてさまざまな用途に適用されている。最近では、焼結材のみならず単結晶材料も開発されガラスレンズ成形型材料、半導体基板としての応用が期待されている。これらの用途に適用するには、加工表面に歪を与えない無擾乱加工技術、許容できるコストでの超精密加工技術が重要である。従来の微細ダイヤモンド砥粒によるポリシングに代わり、加工表面に化学反応層を形成し、それを除去するCMP加工はこれらの要求を満足する加工法と考えられる。本報告では、化学的安定性に優れたSiCセラミックスに対して、高温でポリシングを行い、CMP加工の実現を試みた。
