数値制御プラズマCVMによるEUVLマスク基板の平坦化(第1報)

石英ガラスの加工特性

抄録

次世代の半導体デバイス作製技術として波長が13nmの軟X線を用いた極端紫外光リソグラフィー(EUVL)技術が開発されている。EUVLシステムにおいては反射型のマスクが用いられるが、その基板には50nm p–v以下の平坦度が要求されており、我々は数値制御プラズマCVMを適用することにより、この要求仕様を満たすことを提案している。本報ではマスク基板材料の一つである石英ガラスの加工特性に関して報告する。