微小二開孔を有する光プローブ先端近傍電磁場の三次元境界要素法解析

抄録

金属薄膜に波長以下の二開孔を設けた光プローブの最適構造を探索するため、三次元境界要素法による電磁場解析を実施した。石英上の厚さ100～150nmの薄膜に30nmの金属隔壁を挟んでV溝が対向する二開孔を設けたモデルに石英側から平面波を垂直入射させて数値解析した。その結果、二開孔の金属隔壁端部近傍に強い電場の局在化が見られ、特に、波長488nmに対するAg薄膜でその強度が大きくなった。