ECRスパッタによる高配向AlN薄膜の低温形成

抄録

電子サイクロトロン共鳴スパッタによる音響素子用の窒化アルミ膜の形成とその電気特性評価について検討した。金属ターゲット（Al）とガス（Ar/Xe, N₂）の組合せによる成膜の最適化と電気抵抗、比誘電率などの電気特性、結晶配向性などの結晶性を評価した。室温成膜にもかかわらず、高抵抗、高誘電率の高配向誘電体が形成できることを示した。