主催: 社団法人精密工学会
熊本大学 大学院自然科学研究科 機械システム工学専攻
熊本大学 大学院自然科学研究科 産業工学専攻
大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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窒化ガリウム(GaN)は直接遷移型のワイドギャップ半導体であり,その優れた物性値から発光デバイスだけではなく,高周波・高出力電子デバイスヘの応用が期待されている.しかし,GaNは高硬度かつ熱的・化学的にも安定なため加工が困難である.本研究では鉄などの遷移金属と過酸化水素の反応により生成されるOHラジカルを用いた加工法を提案し,GaNの加工における基礎的な加工特性を明らかにした.
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