表面活性化接合法による三次元実装と高密度光マイクロシステムへの応用

抄録

光システムの小型・高密度化には、光素子の三次元実装技術が重要であるが，従来のAuSnはんだを用いた高温接合プロセスでは素子の劣化が問題であった．本研究では，半導体レーザやフォトダイオードをAu-Au表面活性化接合法を用いて，低温(150 ℃)で三次元実装し，光マイクロシステムの小型化(2.6 mm × 2.6 mm)，薄型化(1.0 mm)を実現した．また，作製したレーザドップラー速度センサを評価した．