シリコンウェーハ表面上のナノ欠陥発生メカニズムの解析

抄録

デザインルールの微細化に伴い、シリコンウェーハ表面上のナノサイズの微細欠陥が、デバイスの歩留まりを低下させる要因となっており、この傾向は45nmルール以降顕著となっている。ウェーハ表面上に研磨起因で発生する欠陥をウェーハ表面欠陥検査装置（MAGICS、SP2など）、AFM、SEMを用いて解析し、発生機構の解明を試みた結果を報告する。