大気圧プラズマCVD法による微結晶シリコン薄膜の低温・高速形成

抄録

微結晶シリコン(Si)薄膜はプラスチックフィルム上への高性能な薄膜トランジスタ形成のための材料として有望である。本研究は、多孔質カーボン電極を用いた大気圧プラズマCVD法により、微結晶Siのフレキシブル基板上への低温形成を目的とするものである。本報告では、様々な成膜条件においてSi薄膜を作製し、最適な条件を検討した。