電界インプリント制御による屈折率メモリ

抄録

圧電体に高温下で高電圧を長時間印加し続けると電界インプリントという現象が発生する。この電界インプリントにより屈折率や誘電率、圧電歪みといった圧電体の諸特性が電界方向に移動し、印加電圧0の状態で分極方向に依存した2つの安定な値を持つ。従ってこの原理によりパルスで駆動できるメモリ効果デバイスが実現できる。本研究ではこのメモリ効果を透明な圧電体であるPLZTに応用した屈折率メモリに関する基礎的な検討を行った。