酸化タングステンナノワイヤの電界放出特性に及ぼす分散状態の影響

古林 昌樹; 長藤 圭介; 森谷 紘己; 濱口 哲也; 中尾 政之

doi:10.11522/pscjspe.2009A.0.409.0

2009年度精密工学会秋季大会

セッションID: F32

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2009A.0.409.0

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主催: 社団法人精密工学会

酸化タングステンナノワイヤの電界放出特性に及ぼす分散状態の影響

*古林昌樹, 長藤圭介, 森谷紘己, 濱口哲也, 中尾政之

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キーワード: 酸化タングステンナノワイヤ

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抄録

本研究では酸化タングステンナノワイヤの電界放出特性に及ぼす分散状態の影響を調べた．酸化タングステンナノワイヤをFEDのエミッタとして利用するためには，その電界放出特性を高める必要がある．酸化タングステンナノワイヤを分散させると，その先端に電界が集中しやすくなり電界放出特性が向上する．実験により電界放出特性を最大にする最適な分散状態が存在することを確かめた．

責任著者(Corresponding author)

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