二開孔型近接場光プローブの三次元境界要素法解析と表面電荷密度の計算

抄録

微小二開孔型近接場光プローブの最適な形状を探るため、三次元境界要素法による電磁場解析と表面電荷密度の計算を行った。計算モデルは石英上の厚さ100nmのAg薄膜に大きさ100nmの二つの正方形開孔を間隔30nmでV溝構造が対向するように設けた形状とし、波長488nmの光が垂直入射する条件で解析した。その結果、開孔隔壁両側のV溝上下端で電場が増強し、V溝に沿う振動表面電荷分布が得られた。