集束イオンビームを用いたSiCの３次元モールドの作製

抄録

微細な三次元形状の作成に集束イオンビームが注目されていて、モールド材料として炭化珪素材料であるSiCに注目した。SiCは高硬質で、優れた物性を有しておりデバイス内部での電力損失がSiの半分以下に抑制可能であり、モールド材料、デバイス材料として期待されている。そこで、SiCモールドの作製、アルミなどの金属材への微細転写を視野に入れ、集束イオンビームによるSiCの加工特性を調べた。