半導体の線幅標準に関する研究（第5報） STEMの高倍率画像を用いた線幅測定

桑原 一樹; 澤内 佑介; 高橋 哲; 高増 潔

doi:10.11522/pscjspe.2009S.0.505.0

2009年度精密工学会春季大会

セッションID: G39

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2009S.0.505.0

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主催: 社団法人精密工学会

半導体の線幅標準に関する研究（第5報）

STEMの高倍率画像を用いた線幅測定

*桑原一樹, 澤内佑介, 高橋哲, 高増潔

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キーワード: 線幅, エッジ, 測定

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抄録

半導体産業の高集積化において，回路線幅の計測と評価は大きな役割を果たす．しかし現在，半導体の回路線幅の測定に関して明確な基準はなく，エッジの決め方で不確かさが生じてしまう．第3報，第4報では，STEMの明視野，暗視野で撮影した画像をそれぞれ解析した．本報では，さらに高倍率で撮影したSTEM画像を解析し，線幅測定のためのエッジ決定法を検討したので報告する．

責任著者(Corresponding author)

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