赤外レーザーによるシリコン基板背後の加工

抄録

本研究では，シリコン(Si)が赤外波長域において透明である特性を利用し，赤外レーザーによるSi基板の裏面及び背後の別基板への透過レーザー光による加工を試みた．その結果，Si基板のレーザー入射面には損傷を与えず，裏面のみを加工できた．さらに，レーザーをSi基板の背後に設置した別の基板表面に集光することで，その表面の加工，及び表面に蒸着した金薄膜の除去が行えた．