有限要素法ベースの３次元電場解析によるシリコンウエハ上のナノ構造における光散乱シミュレーション

押鐘 寧; 東 孝哉; 谷口 直哉; 井上 晴行; 中野 元博

doi:10.11522/pscjspe.2011A.0.1008.0

2011年度精密工学会秋季大会

セッションID: Q09

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2011A.0.1008.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

有限要素法ベースの３次元電場解析によるシリコンウエハ上のナノ構造における光散乱シミュレーション

*押鐘寧, 東孝哉, 谷口直哉, 井上晴行, 中野元博

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キーワード: 光散乱, シリコンウエハ, 有限要素法, ナノ粒子

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抄録

Siウエハ上に存在するナノ粒子やナノ欠陥などの大面積，高速検出には，ウエハ上の広範囲を高感度CCDカメラにより観察することが望ましく，実験では，単色光やブロード光の斜入射照明により，それらナノ構造の散乱輝点をCCD画像中に撮影できている．しかし照明条件，観察条件に依存した輝点強度とナノ構造との相関を明らかにしなければ，CCD画像によるナノ構造検出の優位性が示せない．そこで同散乱現象の電磁場シミュレーションを開始したので，現状について報告する．

責任著者(Corresponding author)

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